<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Chip on Smart Quartz Infrared Heaters</title>
		<link>http://smart-qz-ir-heater.com/id/tags/chip/</link>
		<description>Recent content in Chip on Smart Quartz Infrared Heaters</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>id</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Wed, 24 Jun 2026 01:37:28 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://smart-qz-ir-heater.com/id/tags/chip/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Lampu inframerah dengan chip di atas wafer</title>
				<link>http://smart-qz-ir-heater.com/id/posts/chip-on-wafer-infrared-lamp/</link>
				<pubDate>Wed, 24 Jun 2026 01:37:28 +0800</pubDate>
				<guid>http://smart-qz-ir-heater.com/id/posts/chip-on-wafer-infrared-lamp/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://smart-qz-ir-heater.com/images/0a976f8a438e1a813cc995e9355a4471.png&#34; alt=&#34;Lampu inframerah dengan chip di atas wafer&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Di lantai produksi, perubahan suhu sebesar 0,1°C selama proses pengeringan fotoresist dapat menyebabkan perubahan lebar garis-garis pada permukaan wafer, sehingga wafer yang seharusnya berkualitas baik justru menjadi limbah. Lampu inframerah tipe chip-on-wafer dirancang untuk mencegah perubahan suhu tersebut. Lampu ini dirancang untuk mengontrol suhu pada tingkat wafer, di mana ketersediaan energi sangat terbatas, dan tingkat repetibilitas merupakan syarat utama yang harus dipenuhi.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Apa yang penting secara teknis?&lt;/strong&gt;&#xA;Lampu ini menggunakan sumber cahaya inframerah dekat (NIR) berbasis kuarsa-halogen. Energi cahaya tersebut ditujukan langsung ke fotoresist dan lapisan tipis lainnya. Sistem ini mampu menjaga keseragaman suhu pada permukaan wafer hingga ±0,1°C, pada substrat dengan ukuran 150–300 mm. &lt;a href=&#34;https://goldisgood.com&#34;&gt;Waktu&lt;/a&gt; yang dibutuhkan untuk mencapai suhu target adalah kurang dari 2 detik. Tingkat repetibilitas suhu saat proses pengeringan berlangsung adalah ±0,5°C, sehingga dimensi-kDimensi kritis wafer tetap stabil.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
